Collage direct conducteur et hermétique de silicium polycristallin pour l’encapsulation de MEMS
- Date :
- Jeudi 21 mai 2026
- Heure :
- À 9 h
- Type :
- Soutenance de thèse
- Lieu :
- Local P2-1002 de l'institut interdisciplinaire d'innovation technologique (3IT)
Description :
Doctorant : Vincent Pares
Directeur de recherche : Luc Fréchette
Codirecteur de recherche : Serge Ecoffey
Président de jury : À être confirmé
Résumé : Les MEMS de nouvelle génération intégrant des couches piézoélectriques exigent des solutions de packaging assurant simultanément protection, herméticité et connexion électrique. Elles doivent aussi rester compatibles avec des budgets thermiques élevés, sans complexifier la fabrication. Cette thèse développe une approche d’encapsulation « tout silicium » à l’échelle de la tranche fondée sur un collage direct conducteur. L’objectif est d’utiliser le polysilicium dopé in situ (ISDP) comme interface de collage et chemin électrique, afin d’encapsuler et connecter les dispositifs en une seule opération. Les travaux ont permis de développer un procédé de polissage mécano-chimique au sein d’une fonderie MEMS pour obtenir des surfaces adaptées au collage hydrophobe, puis d’établir des conditions de collage applicables à l’ISDP et de caractériser les interfaces obtenues. La thèse démontre ainsi la faisabilité d’une interface de collage hydrophobe conductrice, permettant également le scellement hermétique de cavités. Cette approche ouvre la voie à des solutions d’encapsulation au niveau de la tranche plus compactes, robustes et adaptées aux MEMS avancés.
Doctorant : Vincent Pares
Directeur de recherche : Luc Fréchette
Codirecteur de recherche : Serge Ecoffey
Président de jury : À être confirmé
Résumé : Les MEMS de nouvelle génération intégrant des couches piézoélectriques exigent des solutions de packaging assurant simultanément protection, herméticité et connexion électrique. Elles doivent aussi rester compatibles avec des budgets thermiques élevés, sans complexifier la fabrication. Cette thèse développe une approche d’encapsulation « tout silicium » à l’échelle de la tranche fondée sur un collage direct conducteur. L’objectif est d’utiliser le polysilicium dopé in situ (ISDP) comme interface de collage et chemin électrique, afin d’encapsuler et connecter les dispositifs en une seule opération. Les travaux ont permis de développer un procédé de polissage mécano-chimique au sein d’une fonderie MEMS pour obtenir des surfaces adaptées au collage hydrophobe, puis d’établir des conditions de collage applicables à l’ISDP et de caractériser les interfaces obtenues. La thèse démontre ainsi la faisabilité d’une interface de collage hydrophobe conductrice, permettant également le scellement hermétique de cavités. Cette approche ouvre la voie à des solutions d’encapsulation au niveau de la tranche plus compactes, robustes et adaptées aux MEMS avancés.