Hassan Maher

Hassan Maher est diplômé d’un doctorat en physique, option micro et optoélectronique intégrées, de l’Université Paris-XI en 1999. Il a obtenu son Habilitation à Diriger des Recherches (HDR) en 2010 à l’Université de Lille 1.

En 1996, il a rejoint le CNET de Bagneux, où il a travaillé sur les circuits photorécepteurs PIN-HEMT fonctionnant à 10 Gbit/s. En 2000, il a effectué un stage postdoctoral à l’Université Simon Fraser à Vancouver, travaillant sur les procédés de fabrication des transistors HEMT-GaN. En 2001, il a rejoint PerkinElmer-Optoélectroniques à Vaudreuil, où il a mené un projet de réalisation de circuits photorécepteurs à base de PIN-HBT fonctionnant à 40 Gbit/s.

Fin 2003, il a intégré OMMIC-PHILIPS, où il a dirigé le département R&D et travaillé sur les filières avancées des composants III-V (InP, GaAs et GaN) destinés aux applications millimétriques et submillimétriques. Depuis mai 2012, il est professeur au Département de génie électrique et informatique de l’Université de Sherbrooke. Ses recherches portent sur les nouvelles technologies de fabrication de circuits et de composants à base de matériaux III-V.

Principaux projets en cours :

• Développement de circuits de puissance à base de HEMT GaN
• Recherche fondamentale sur les transistors verticaux à base de GaN
• Développement de circuits MMIC pour des applications de puissance RF
• Développement de circuits intégrés à base de transistors MOS III-V
• Intégration monolithique de circuits à base de HEMT et de composants SAW