GEL311 - Physique des semi-conducteurs II
Présentation
Sommaire
- Cycle
- 1er cycle
- Crédits
- 2 crédits
- Faculté/Centre
- Faculté de génie
Cible(s) de formation
Justifier l'allure des caractéristiques v-i des dispositifs électroniques d'après leurs principes de fonctionnement physique; identifier une technologie appropriée de dispositifs électroniques selon l'application et les caractéristiques recherchées d'un circuit électronique.
Contenu
Jonctions PNP et NPN : structure simplifiée, modes usuels d'opération : actif, cutoff et saturation, gains de courant en base commune et en émetteur commun, structure actuelle, modèle Ebers-Moll, caractéristiques mathématiques et graphiques courants – tensions, effet Early, claquage, emballement thermique. MOSFET : structure physique, canal N et canal P, modes d'opération de types enrichissement et appauvrissement de canal, régions d'opération : cutoff, triode et saturation, transconductance, modèle, caractéristiques mathématiques et graphiques courants – tensions, claquage, effets de la température.
Une portion de cette activité pédagogique est consacrée à la réalisation du projet de conception de session prévu au programme.