GEL310 - Dispositifs électroniques à semi-conducteur

Cible(s) de formation

Justifier l'allure des caractéristiques v-i des dispositifs électroniques d'après leurs principes de fonctionnement physique; identifier une technologie appropriée selon l'application et les caractéristiques recherchées d'un circuit électronique.

Contenu

Conducteur, semi-conducteur et isolant. Mécanismes de diffusion et de dérive, mobilité. Dopage de type P ou de type N. Jonction PN en circuit ouvert, en polarisation inverse ou dans le sens passant. Relation v-i d'une jonction polarisée dans le sens passant. Jonctions PNP et NPN, relation v-i, caractéristiques graphiques. Canal P, canal N, mécanisme de conduction et de non-conduction dans un canal. Dispositifs électroniques : diode, TBJ, TEC, TGI. Fiches techniques. Modèles de simulation de dispositifs électroniques.

Préalable(s)

Avoir effectué 2.00 sessions préalables

Concomitante(s)

Activités pédagogiques de la session 3

Antérieure(s)

Activités pédagogiques de la session 2