Connaître les principes physicochimiques sous-jacents à la fabrication de circuits intégrés.
Contenu
Notions physicochimiques reliées aux différentes étapes de la réalisation des circuits intégrés VLSI sur silicium : matériau de base, lithographie, diffusion, implantation ionique, oxydation, plasmas, gravure, croissance de couches minces, métallisation. Notions d'intégration de ces techniques en vue de la réalisation d'éléments de circuits intégrés VLSI. Survol des techniques d'analyse disponibles, des méthodes de simulation, de l'assemblage et du contrôle de qualité des puces.
Ce site Web utilise des fichiers témoins (cookies) essentiels à son bon fonctionnement.
Vous pouvez paramétrer l'utilisation de témoins facultatifs nous permettant d'optimiser votre expérience à travers le site. Voir la Politique de confidentialité
Paramètres des témoins
Pour obtenir plus d’information sur la nature et l’utilisation des témoins, voir la Politique de confidentialité.
Témoins essentiels
Ces témoins sont nécessaires au bon fonctionnement du site Web. Ils permettent de maintenir
l’accès à certaines sections sécurisées et de conserver des critères de recherche, par exemple.
Ces témoins ne peuvent être désactivés.
Témoins analytiques
Ces témoins nous aident à comprendre votre utilisation de notre site Web et nous permettent d'améliorer l’expérience qu'il propose.
Témoins publicitaires
Ces témoins sont utilisés pour vous proposer des publicités pertinentes en fonction de votre navigation sur notre site. Ces publicités peuvent être émises par l'Université de Sherbrooke ou d'autres entités.
