Développement et optimisation au niveau des matériaux des mémoires résistives à changement de valence pour le calcul-en-mémoire
- Date :
- Cet événement est passé.
- Type :
- Soutenance de thèse
- Lieu :
- Local P2-1002 de l'Institut interdisciplinaire d'innovation technologique (3IT) et par Teams
Description :
Doctorant: Abdelouadoud El Mesoudy
Directeur de recherche: Dominique Drouin
Codirecteur de recherche: Andreas Ruediger
Président du jury: À être confimé
Résumé: Le développement des technologies de mémoires résistives non-volatiles (mémristors) a permis d’explorer de nouvelles approches de calcul plus performantes que celles basées sur les architectures conventionnelles. Notamment, l’approche de calcul-en-mémoire (in-memory computing) propose une solution à l’étranglement de von Neumann en poussant l’idée de concevoir un système où il n’y a pas de séparation physique entre le processeur et la mémoire. Cette approche repose sur les propriétés uniques des mémoires résistives lorsqu’elles sont agencées sous forme de réseaux crossbar, où les fonctions de sommation et de multiplication s’implémentent de manière naturelle. De plus, la compatibilité de ces mémoires pour une intégration avec les technologies CMOS conventionnelles offre des capacités agressives de miniaturisation et ainsi que d’assurer les opérations de contrôle et d’adressage nécessaires pour une implémentation efficace de différents algorithmes d’intelligence artificielle. Cette thèse s’inscrit dans un contexte d’amélioration des propriétés du matériau à commutation de résistance (TiO2-x), et dont l’objectif principal est de démontrer la compatibilité des composants de structure TiN/Al2O3/TiO2-x/Ti/TiN/Al à satisfaire les exigences de la co-intégration mémristors/CMOS.
Doctorant: Abdelouadoud El Mesoudy
Directeur de recherche: Dominique Drouin
Codirecteur de recherche: Andreas Ruediger
Président du jury: À être confimé
Résumé: Le développement des technologies de mémoires résistives non-volatiles (mémristors) a permis d’explorer de nouvelles approches de calcul plus performantes que celles basées sur les architectures conventionnelles. Notamment, l’approche de calcul-en-mémoire (in-memory computing) propose une solution à l’étranglement de von Neumann en poussant l’idée de concevoir un système où il n’y a pas de séparation physique entre le processeur et la mémoire. Cette approche repose sur les propriétés uniques des mémoires résistives lorsqu’elles sont agencées sous forme de réseaux crossbar, où les fonctions de sommation et de multiplication s’implémentent de manière naturelle. De plus, la compatibilité de ces mémoires pour une intégration avec les technologies CMOS conventionnelles offre des capacités agressives de miniaturisation et ainsi que d’assurer les opérations de contrôle et d’adressage nécessaires pour une implémentation efficace de différents algorithmes d’intelligence artificielle. Cette thèse s’inscrit dans un contexte d’amélioration des propriétés du matériau à commutation de résistance (TiO2-x), et dont l’objectif principal est de démontrer la compatibilité des composants de structure TiN/Al2O3/TiO2-x/Ti/TiN/Al à satisfaire les exigences de la co-intégration mémristors/CMOS.