Graveur plasma STS pour III-V

Description

Gravure de composés et hétérostructures III-V et de métaux par plasma à haute densité

Marque et modèle

STS - Multiplex Inductively Coupled Plasma (ICP) SR III-V system

Spécifications techniques

• Température de l'électrode (plateau) : -20 à 70°C
• Source ICP : jusqu'à 1 kW à 13.56 MHz
• Source du plateau : 0-300 W à 13.56 MHz
• Gaz installés sur le système : Ar, N₂, Cl₂, He, H₂, CH₄, O₂, SiCl₄, BCl₃, SF₆
• Taille d'échantillons : substrats jusqu'à 200 mm de diamètre; possibilité de travailler avec de petits échantillons
• Système optique de suivi de la gravure en temps réel (end point detection).
• Spectromètre optique (détection des espèces présentes)

Exemples de procédés disponibles

• Gravure de structure ridge pour lasers à hétérostructure.
• Gravure de chrome pour fabrication de photomasques.
• Gravure de matériaux III-V, Ge, Si, GaN, diamant, métaux