Graveur plasma STS pour III-V
Description
Gravure de composés et hétérostructures III-V et de métaux par plasma à haute densité
Marque et modèle
STS - Multiplex Inductively Coupled Plasma (ICP) SR III-V system
Spécifications techniques
- Température du substrat : -20 à 70°C
- Source ICP : jusqu'à 1 kW à 13.56 MHz
- Source du plateau : jusqu'à 300 W à 13.56 MHz
- Gaz installés sur le système : Ar, N₂, Cl₂, He, H₂, CH₄, O₂, SiCl₄, BCl₃, SF₆
- Taille d'échantillons : substrats jusqu'à 200 mm de diamètre; possibilité de travailler avec de petits échantillons
- Spectromètre optique (détection end point)
Exemples de procédés disponibles
- Gravure d'hétérostructures laser
- Gravure de matériaux III-V, Ge, Si, GaN, diamant, métaux