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Graveur plasma STS pour III-V

Description

Gravure de composés et hétérostructures III-V et de métaux par plasma à haute densité

Marque et modèle

STS - Multiplex Inductively Coupled Plasma (ICP) SR III-V system

Spécifications techniques

  • Température du substrat : -20 à 70°C
  • Source ICP : jusqu'à 1 kW à 13.56 MHz
  • Source du plateau : jusqu'à 300 W à 13.56 MHz
  • Gaz installés sur le système : Ar, N₂, Cl₂, He, H₂, CH₄, O₂, SiCl₄, BCl₃, SF₆
  • Taille d'échantillons : substrats jusqu'à 200 mm de diamètre; possibilité de travailler avec de petits échantillons
  • Spectromètre optique (détection end point)

Exemples de procédés disponibles

  • Gravure d'hétérostructures laser
  • Gravure de matériaux III-V, Ge, Si, GaN, diamant, métaux