Système de dépôts de couches diélectriques très minces ALD Picosun R-200 Advanced
Description
Dépôt de couches diélectriques très minces, passivation
Marque et modèle
Picosun - R-200 Advanced
Spécifications techniques
- Coupons, substrats de 200mm ou moins
- Température de dépôt de 25°C à 450°C
- 3 sources liquides à température ambiante, 2 sources liquides chauffées (max 250°C), 1 gaz réactif (NH₃), source O+ par plasma O₂ indirect, source H+ par plasma N₂ : H₂ indirect.
Exemple de procédés disponibles
- Dépôt de 5nm de SiO₂ à 300°C à partir de SAM.24 et O₂
- Deposition of 5nm Al₂O₃ at 250°C à partir de TMAL et H₂O