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Système de dépôts de couches diélectriques très minces ALD Picosun R-200 Advanced

Description

Dépôt de couches diélectriques très minces, passivation

Marque et modèle

Picosun - R-200 Advanced

Spécifications techniques

  • Coupons, substrats de 200mm ou moins
  • Température de dépôt de 25°C à 450°C
  • 3 sources liquides à température ambiante, 2 sources liquides chauffées (max 250°C), 1 gaz réactif (NH₃), source O+ par plasma O₂ indirect, source H+ par plasma N₂ : H₂ indirect.

Exemple de procédés disponibles

  • Dépôt de 5nm de SiO₂ à 300°C à partir de SAM.24 et O₂
  • Deposition of 5nm Al₂O₃ at 250°C à partir de TMAL et H₂O