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Réacteur CBE pour matériaux III-V VG semicon

Réacteur CBE pour matériaux III-V

Description

Dédié à la croissance des matériaux III-V (Arseniures et Phosphures)     

Marque et modèle

VG semicon - V90       

Spécifications techniques

  • Taille de wafer jusqu’à 4 po
  • Equipé de ABES, RHEED, Pyromètrie et RGA   
  • Précurseurs :
    • P, PH3 – Phosphine
    • As, AsH3 – Arsine
    • Ga, TEGa – Triethyl Gallium
    • In, TMIn – Trimethyl Indium
    • Al, TMAl – Trimethyl Aluminium
    • Al, TEAl – Triethyl Aluminium
    • Te, DIPTe – Di-isopropyl Tellure
    • Si, SiBr4 – Tetrabromure de Silicium
    • C, CBr4 – Tetrabromure de Carbone

Exemples de procédés disponibles