Gravure peu profonde
SiN (PECVD)
Sélectivité avec photorésine : 17:1
Sélectivité avec électrorésine : 2:1
Verticalité (o): 80
SiO2 (PECVD)
Sélectivité avec photorésine : 1:1
Sélectivité avec électrorésine : 1:1
Verticalité (o): 80
Si
Sélectivité avec photorésine : 0.5 :1
Sélectivité avec électrorésine : 0.5 :1
Verticalité (o):