Procédés de gravure Cobra III-V
GaAs semi Isolant
Selectivité avec SiO2 : 40:1
Selectivité avec photorésine : 9:1
Al évaporé
Sélectivité avec SiO2 : 20:1
Sélectivité avec photorésine : 4:1
Si
Sélectivité avec SiO2 : 3:1
Sélectivité avec photorésine : 0,6:1
InP
Sélectivité avec SiO2 : 15:1
Sélectivité avec photorésine : /