Des auteurs du LN2 rayonnent

L’article intitulé "Hybrid Epitaxy Technique for the Growth of High-Quality AlInAs and InGaAs layers on InP substrates" a été récemment accepté pour une publication dans "Journal of Vacuum Science & Technologies (JVSTb)".

Compte tenu de la pertinence de cet article, il a été choisi par l'éditeur pour être sur la page d'accueil du journal.
Les auteurs : Thierno Mamoudou Diallo et Alex Brice Poungoué Mbeunmi 
Co-auteurs: Mohamed El-Gahouchi, Mourad Jellite, Roxana Arvinte, Mohammad Reza Aziziyan, Richard Arès, Simon Fafard, and Abderraouf Boucherif