Prédire le vieillissement des transistors GaN pour l’automobile électrique
Description du projet
Thématiques de recherche : Électronique de puissance; transistors GaN HEMT et SiC; fiabilité et vieillissement; bancs d’essai; modélisation semi-empirique
Ce doctorat vise à caractériser les modes de défaillance de transistors GaN HEMT fonctionnant à haute tension et à prédire leur vieillissement, pour réduire les risques d’intégration de cette nouvelle technologie dans l’industrie automobile.
L’objectif est de développer les connaissances nécessaires pour guider le choix des technologies de transistors dans les onduleurs automobiles, en partenariat avec Dana TM4.
Rôle de l'étudiante ou de l'étudiant
- Faire la revue des technologies de transistors récentes pour l’automobile.
- Concevoir un banc d’essai précis pour mesurer les données de défaillance et de vieillissement.
- Développer des modèles semi-empiriques de prédiction des défaillances.
- Comparer avec les transistors SiC, plus étudiés.
Direction de recherche
Mathieu Picard, professeur au Département de génie mécanique, UdeS : direction.
Maxime Berger, professeur au Département de génie électrique et de génie informatique, UdeS : codirection.
Domaines d'expertise :
- Propulsion électrique
- Machines électriques haute vitesse
- Électronique de puissance
- Conception mécanique
- Transfert de chaleur
Candidatures recherchées
Niveaux d'études : Doctorat
Sessions d'entrée : Hiver 2027
Compétences :
- Maîtrise en génie électrique, physique ou dans un domaine connexe.
- Connaissances en électronique de puissance et en physique des semi-conducteurs.
- Intérêt pour la conception de bancs d’essai et la caractérisation expérimentale.
- Autonomie, rigueur et capacité de rédaction scientifique.
Atouts considérés :
Expérience en caractérisation de transistors (GaN, SiC), en instrumentation de précision ou en modélisation de la fiabilité.
Lieu principal de réalisation
3IT – Institut interdisciplinaire d’innovation technologique, Université de Sherbrooke
Unité d'attachement au projet : Départements de génie électrique et de génie informatique, Faculté de génie, Université de Sherbrooke
Financement disponible
35 000 $/an
Principaux avantages du projet
- Collaboration directe avec Dana TM4, chef de file de la propulsion électrique
- Retombées utilisées pour des produits commerciaux
- Accès au FabLab de Createk et aux installations de pointe du 3IT
- Équipe de chaire de recherche avec soutien d’ingénieurs de l’industrie
Pourquoi choisir ce projet?
Pour devenir spécialiste d’une technologie de transistors en pleine émergence, avec un financement de 35 000 $ par année.
Milieu de recherche
Groupe d’innovation Createk de l’Université de Sherbrooke : 12 professeures et professeurs, 12 employées et employés et plus de 75 personnes étudiantes graduées, tournés vers le développement technologique et les liens recherche-industrie. Communauté de « makers » avec accès à l’atelier de prototypage FabLab et activités qui favorisent l’esprit entrepreneurial. Au quotidien, la personne travaille avec l’équipe de la Chaire de recherche Dana TM4 (6 autres étudiants gradués et 2 professionnels de recherche), avec le soutien de l’équipe d’ingénierie avancée de Dana TM4. Travaux réalisés dans les installations de pointe du 3IT.