Richard Arès, ing.jr
Richard Arès, ing.jr

Richard Arès

ing. jr, Ph. D., Phys.

Professeur agrégé

Coordonnées

Diplômes

  • B. Sc. Physique, Université de Montréal (Canada), 1990
  • M. Sc. Physique, Université de Montréal (Canada), 1993
  • Ph. D. Physics, Simon Fraser University (Canada), 1998

Recherches actuelles

Développement de nouvelles structures de matériaux semiconducteurs pour la fabrication de dispositifs électroniques et photoniques

La technologie à base de matériaux semiconducteurs a révolutionnée le mode de vie moderne par le développement de dispositifs comme les ordinateurs, les lasers et les téléphones cellulaires, pour n'en nommer que quelques-uns. Or depuis quelques années, de nouvelles applications connaissent un essor spectaculaire grâce aux propriétés uniques des semiconducteurs.

Les travaux du Laboratoire d'Épitaxie Avancée (LÉA) se concentrent sur quelques-uns des domaines de pointe en effervescence, soit l'énergie solaire, l'éclairage à base de DEL, l'optique non linéaire et l'électronique de haute performance. Le LÉA est impliqué dans plusieurs projets d'envergure pour la fabrication de cellules photovoltaïques à triple jonction, de sources performantes de lumière ultraviolette pour le bronzage et le traitement des maladies de la peau, ainsi que de sources compactes de lumière infrarouge pour les télécommunications, les diagnostics chimiques et la défense.

Le rôle du groupe de recherche est de développer de nouveaux procédés de croissance épitaxiale pour produire les structures nécessaires à ces nouvelles applications. Le LÉA aborde les défis de recherche selon plusieurs axes distincts : en améliorant la technologie des outils de croissance, en produisant de nouveaux matériaux aux performances exceptionnelles, et en développant de nouvelles techniques de croissance permettant la fabrication de structures aux propriétés inaccessibles jusqu'à présent.

Conception d’un système optimisé de croissance épitaxiale

Les travaux portent sur la simulation et la recherche des paramètres optimaux pour la dynamique des gaz dans un système de croissance épitaxiale utilisé dans la fabrication de nanostructures à base de semiconducteurs de la famille III-V. L’étude portera plus particulièrement sur quatre composantes fondamentales du système : la dynamique moléculaire dans la chambre de croissance, la gestion et l’injection des gaz, ainsi que le système de contrôle du procédé.

L’objectif final est d’utiliser les connaissances acquises par simulations afin d’obtenir les paramètres optimaux d’un système et d’en faire la fabrication. Un tel système sera le premier de l’industrie à être entièrement conçu à l’aide de modèles théoriques optimisés.

Croissance sélective sur substrat non standard

Le projet consiste à étudier le comportement de la croissance épitaxiale sur une surface non uniforme. L’ajout de masques d’oxydes pouvant perturber les processus de croissance, une étude microscopique détaillée permet de déterminer les effets et les moyens de compenser en modifiant les conditions de croissance.

L’objectif est d’acquérir une connaissance fondamentale du processus de croissance et d’optimiser les conditions de façon à produire des couches pour des systèmes photoniques et électroniques hybrides ayant des applications biomédicales, microfluidiques, et en télécommunications.