Photo-gravure digitale des semi-conducteurs III-V : technologie innovatrice pour la fabrication de dispositifs nanométriques

Sommaire

DIRECTRICE/DIRECTEUR DE RECHERCHE
Jan Dubowski, Professeur - Département de génie électrique et de génie informatique
UNITÉ(S) ADMINISTRATIVE(S)
Faculté de génie
Département de génie électrique et de génie informatique
Institut interdisciplinaire d'innovation technologique (3IT)
CYCLE(S)
2e cycle
LIEU(X)
3IT - Institut interdisciplinaire d'innovation technologique

Description du projet

Résumé du projet :
Le laboratoire de semi-conducteurs quantiques et bio-nanotechnologies photoniques à l’institut interdisciplinaire d’innovation technologique (3IT) a été impliqué dans la recherche fondamentale et appliquée sur les interactions entre les lasers et les surfaces fonctionnalisées de semi-conducteurs quantiques (SQ) de type III-V.1  L'intérêt de ce projet est motivé par la recherche continue de solutions technologiques compensant le manque de méthodes actuelles pour la fabrication des dispositifs photoniques et électroniques avancés à l’échelle nanométrique.    
Nous avons démontré que l'excitation par laser à basse puissance des paires électron-trou des nano-hétérostructures GaAs/Al0.35Ga0.65As immergé dans une solution aqueuse de NH4OH a permis une gravure cyclique (pulsée) de ce matériel, jusqu'à environ une profondeur de 100 nm, avec une précision de l’ordre de sous-monocouche par cycle.2  Nous nous attendons à ce que des nano-hétérostructures plus épais puisse être gravé dans des solutions dédiées – un processus qui a besoin d'être étudié encore (But 1). Notre intérêt est aussi d’explorer les nanostructures de GaInP/GaAs et d'AlGaN/GaN étudiées dans le domaine de l’énergie solaire photovoltaïque et les transistors à haute mobilité d’électrons (But 2).
La précision de gravure à une profondeur de sous-monocouche offre la possibilité d'entreprendre une recherche fondamentale concernant les mécanismes de réorganisation des monocouches auto-assemblées avec le matériel subissant la photo-gravure digitale. Ce thème (But 3) sera considéré dans l'attente des résultats des travaux qui vont être effectuées dans le cadre des Buts 1 et 2.

Connaissances exigées:
Nous cherchons un étudiant (ou une étudiante) de génie électrique ou de génie physique avec une bonne connaissance de la physique des semi-conducteurs et de l’état solide. Le candidat (ou la candidate) devrait être hautement motivé, devrait apprécier le travail pratique et démontrer une indépendance à mener le projet à la conclusion. Le candidat (ou la candidate) profitera du travail dans un environnement interdisciplinaire de 3IT.


1. Dubowski, J. J.; Nazemi, E.; Aithal, S.; Huang, X., Photo-electrochemical sensing method using photoluminescenceemitting
semiconductors. Patent 2015, PCT/CA2015/050073 (allowed, to be issued in Summer 2018).
2. Aithal, S.; Liu, N.; Dubowski, J. J., Photocorrosion metrology of photoluminescence emitting GaAs/AlGaAs
heterostructures. J. Phys. D: Apppl. Phys. 2017, 50, 035106.

Sciences naturelles et génie

Génie électrique et génie électronique

Financement offert

Oui

Montant annuel : 17 000$

Partenaire(s)

CMC Microsystems

La dernière mise à jour a été faite le 25 septembre 2020. L’Université se réserve le droit de modifier ses projets sans préavis.