Expertus

Maher, Hassan

Professeur, Faculté de génie

FAC. GÉNIE Électrique et informatique

Coordonnées

819-821-8000, poste 63388

hassan.maher@usherbrooke.ca

Langues parlées et écrites

Anglais, Arabe, Français

Formation

Habilitation,  Habilitation à diriger les recherches,  Université de Lille I (Sci. & Tech.) (2010)

Doctorat,  Micro et opto-électronique intégrées,  Université de Paris XI (Paris-Sud) (1999)

Maîtrise sans mémoire,  Maitrise,   (1993)

Profil

Sujets de recherche

Circuits intégrés, Micro et nanoélectronique, Micro-ondes et hyperfréquence.

Intérêts de recherche

semi-conducteur III-V, physique des composants

Disciplines de recherche

Génie électrique et génie électronique.

Mots-clés

HEMT, HBT, MMIC, Semiconducteurs III-V, physique du composant.

Recherche clinique : Non

Prix et distinctions

      Membre dans le comité des experts

      Type de reconnaissance : Distinction

      Membre dans le comité des experts

      Type de reconnaissance : Distinction

      Membre dans le comité des experts

      Type de reconnaissance : Distinction

      Membre d'un comité d’experts., Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies (FRQNT), Canada

      Type de reconnaissance : Distinction

      Membre du comité d'organisation de la conférence JNMO.

      Type de reconnaissance : Distinction (2016)

      Membre du comité d'organisation des Entretiens Jacques-cartier

      Type de reconnaissance : Distinction

      Member of the golden list of reviewers IEEE EDL

      Type de reconnaissance : Distinction

Publications

Articles de revue

  • Journal of infrared, millimeter and THz waves, Journal of infrared, millimeter and THz waves
  • Room-temperature AlGaN/GaN Terahertz Plasmonic Detectors with a Zero-Bias Grating, Journal of infrared, millimeter and THz waves
    Article soumis
  • Osvaldo Arenas, Elias Al Alam, Vincent Aimez, Abdelatif Jaouad, Hassan Maher, Richard Ares and Françoise Boone. Electro-Thermal Mapping of AlGaN/GaN HEMTs Using Micro Resistance Thermometer Detectors, Electron Device Letters (EDL)
    Révisions requises, IEEE
  • Reduction of the thermal budget of AlGaN/GaN heterostructures grown on silicon: A step towards monolithic integration of GaN-HEMTs with CMOS, PSSa : application and materials science, 212 (5) : 1145-1152 (2015)
    Article publié
  • Osvaldo Arenas, Élias Al Alam, Alexandre Thevenot, Yvon Cordier, Abdelatif Jaouad, Vincent Aimez, Hassan Maher, Richard Arès and François Boone. Integration of Micro Resistance Thermometer Detectors in AlGaN/GaN Devices, IEEE Journal of the Electron Devices Society (2014)
    Article publié, IEEE
  • A. Chakroun, H. Maher, E. Al Alam, A. Souifi, V. Aimez, R. Arès and A. Jaouad. Optimized Pre-treatment Process for MOS-GaN Devices Passivation, IEEE Electron Device Letters (2014)
    Article publié
  • Mohammed Zaknoune, Etienne Okada, Estelle Mairiaux, Yannick Roelens, Damien Ducatteau, Peter Frijlink, Marc Rocchi, and Hassan Maher. 0.2-μm InP/GaAsSb DHBT Power Performance With 10 mW/μm2 and 25% PAE at 94 GHz, Electron Device Letters (2014)
    Article accepté
  • S. Bouzid-Driad, H. Maher, N. Defrance, V. Hoel, J-C. De Jaeger, M. Renvoise, P. Frijlink. AlGaN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with 206GHz FMAX, IEEE Electron Device Letters (2013)
    Article publié
  • M. Zaknoune, N. Waldhoff, E. Mairiaux, U. Rouchy, P. Frijlink, M. Rocchi & H. Maher. 480 GHz-Fmax in DHBT InP/GaAsSb/InPwith New Base Isolation µ-airbridge Design, IEEE Electron Device Letters (2012)
    Article publié
  • S. Bouzid, H. Maher, N. Defrance, V. Hoel, F. Lecourt, M. Renvoise1, J.C. De Jaeger, P. Frijlink.. 435mS/mm Trans-conductance for AlGaN/GaN HEMTs on H-R Si Substrate with Optimized Gate-Source Spacing, Electronics Letters (2011)
    Article publié

Articles de conférence

  • Le GaN pour les applications de forte puissance, Microwave & RF 2015
  • Focalized chemical beam injection for efficient CBE growth of III-Nitride, NAMBE2015
  • Room-temperature AlGaN/GaN plasmonic detectors with a zero-bias grating, GSMM2015
  • Wafer-level BCB CAP packaging of integrated MEMS switches with MMIC, Microwave Symposium Digest (MTT), 2012 IEEE MTT-S International
  • Development of technological building blocks for the monolithicintegration of Ammonia-MBE grown GaN-HEMTs with silicon CMOS, CSW2015
  • Analysis of InP/GaAsSb DHBT failure mechanisms under accelerated aging tests, IPRM2012
  • Thermal Performance Assessment of AlGaN/GaN Structures By Microsensor Integration, EUMIC2015 (2015)
    Article publié
  • Large-Signal Modeling up to W-band of AlGaN/GaN based High-Electron-Mobility Transistors, EUMIC2015 (2015)
    Article publié
  • High performance AlN-based surface acoustic wave sensors on TiN on (100) Silicon substrate, GSMM2015
  • Rémi Comyn, Yvon Cordier, Vincent Aimez, Hassan Maher. Monolithic integration of GaN-HEMTs with CMOS, EMRS (2014)
    Article accepté
  • Remi Comyn, Sebastien Chenot, Yvon Cordier, Vincent Aimez, Hassan Maher. Reduction of the growth thermal budget of AlGaN/GaN heterostructures grown on Silicon: A step toward monolithic integration of GaN-HEMTs with CMOS, 5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (2014)
    Article publié
  • A. Agboton, N. Defrance, P. Altuntas, V. Avramovic, A. Cutivet, R. Ouhachi, J. De Jaeger, S. Bouzid-Driad, H. Maher, M. Renvoise, P. Frijlink. Electron Delay Analysis and Image Charge Effect in AlGaN/GaN HEMT on Silicon Substrate, ESSDERC2013 (2013)
    Article accepté
  • A. Cutivet, A. Agboton, P. Altuntas, F. Lecourt, M. Lesecq, N. Defrance, Y.Cordier, M.Chmielowska, S.Rennesson, J. Camus, Keltouma Ait Aissa, L. Le Brizoual, M.A. Djouadi, J.-C. De Jaeger, F. Boone,. AlN/Si interfaces properties revealed by broadband characterization of coplanar waveguides, WOCSDICE 2013 (2013)
    Article publié
  • Ahmed CHAKROUN, Jihane BOUGHALEB, Abdelkader SOUIFI, Vincent AIMEZ, Hassan MAHER, Richard ARÈS and Abdelatif JAOUAD. Passivation de la surface du nitrure de gallium brique de base pour la technologie mos-GaN, JNMO : Journées Nano, Micro et Optoélectronique (2013)
    Article publié
  • Ahmed Chakroun, Abdelkader Souifi, Vincent Aimez, Hassan Maher, Richard ARES, Abdelatif Jaouad. Passivation de GaN par dépôt PECVD d’oxyde de silicium : brique de base pour le développement d’une technologie MOS-GaN pour les transistors de puissance”, ACFAS : l’Association francophone pour le savoir (2013)
    Article publié
  • H. Maher. Technologie GaN pour la gestion d’énergie, Entretiens Jacques Cartier (2012)
    Article publié
  • S.Bouzid-Driad, H. Maher, M. Renvoise, P. Frijlink, M. Rocchi. N. Defrance, V. Hoel, J.C. De Jaeger.. Optimization of AlGaN/GaN HEMT Schottky contact for Microwave Applications, EuMW2012 : European Microwave Week (2012)
    Article publié
  • R. Malmqvist, R. Jonsson, C. Samuelsson, S. Reyaz, A. Ouacha, H. Maher, and R. Baggen.. Self-Actuation Tests of On-Wafer and Wafer-Level Packaged Ohmic Contact based RF-MEMS Switches, EuMW2012 : European Microwave Week (2012)
    Article publié
  • N. Alexander, P.Frijlink, J. Hendricks, E. Limiti, S. Löffler, C. Macdonald, H. Maher, L.Pettersson, D. Platt, P. Rice, M. Riester, D. Schulze, V. Vassilev. IMAGINE project – a low cost, high performance, monolithic passive mm-wave imager front-end, SPIE Security and Defence 2012 (2012)
    Article publié
  • L. Baggen, W. Simon, R. Malmqvist, T. Vähä-Heikkilä, H. Maher, S. Seok. (MEMS-4-MMIC) The next step in combined GaAs MEMS-MMIC technology, Antem : International Symposium of ANtenna Technology and applied ElectroMagnetics (2012)
    Article publié
  • Robert Malmqvist, Carl Samuelsson, Andreas Gustafsson, Hassan Maher, TaunoVähä Heikkilä and Rens Baggen. A K-Band Single-Chip Reconfigurable/Multi-Functional RF-MEMS Switched Dual-LNA MMIC, IMS2012 International Microwave Symposium (2012)
    Article publié
  • B. Grandchamp, H. Maher, P. Frijlink, R. Malmqvist and R. Baggen.. Monolithic integration of RF MEMS switch and GaAs-MMIC process for RF sensing applications, ARMMS 2012 (2012)
    Article publié
  • R. Malmqvist, C. Samuelsson, A. Gustafsson, D. Smith, H. Maher, T. Vähä-Heikkilä, R. Baggen.. RF-MEMS based GaAs MMICs: System Integration, Applications and Test Results, GigaHertz Symposium 2012 (2012)
    Article publié
  • J.C. De Jaeger 1, V. Hoel, M. Lesecq, N. Defrance, F. Lecourt, Y. Douvry, C. Gaquiere, H. Maher, S. Bouzid, M. Heuken, C. Giesen, N. Ketteniss, H. Behmenburg, M. Eickelkamp, A. Vescan, Y. Cordier, A.. AlGaN/GaN and InAlN/GaN HEMTs technology for high frequency wireless communication and applications needing conformability, European Microwave week, EuMIC2011 (2011)
    Article publié
  • A. Scavennec, H. Maher, J. Décobert.. Influence of self-heating on the impact–ionization gate leakage in AlInAs/InGaAs/InP HEMTs, IPRM2011 : 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (2011)
    Article publié
  • H. Maher, V. Delmouly, M. Renvoise, D. Smith, M. Zaknoune, D. Ducatteau, V. Avramovic, A. Scavennec, J. Godin, M. Riet, C. Maneux, B. Adouin. A 300 GHz InP/GaAsSb/InP HBT for high data rate applications, IPRM 2011 : 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (2011)
    Article publié
  • G. Koné, B. Grandchamp, C. Maneux, N. Labat, T. Zimmer, H. Maher, M. Bourqui, D. Smith.. Preliminary results of storage accelerated aging test on InP/GaAsSb DHBT, IPRM2011 : 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (2011)
    Article publié
  • S. Bouzid, V. Hoel, N. Defrance, H. Maher, F. Lecourt, M. Renvoise, D. Smith, JC. DeJaeger. AlGaN/GaN HEMT on Si (111) substrate for millimeter microwave power applications, ASDAM 2010 : 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices & Microsystems (2010)
    Article publié
  • Frederic Aniel (IEF), M. Laboureau (President of UMS SAS France), M. Leclerc (UMS SAS) and H. Maher (OMMIC). ICs & Semiconductors, Sector overview, EuMIC 2010 : EUROPEAN MICROWAVE WEEK (2010)
    Article publié
  • A. Noudéviwa, Y. Roelens, F. Danneville, A. Olivier, N. Wichmann, N. Waldhoff, S. Lepilliet, G. Dambrine, L. Desplanque, X. Wallart, J. Bellaiche, D. Smith, H. Maher, S. Bollaert.. Potentiality of Commercial Metamorphic HEMT at Cryogenic Temperature and Low Voltage Operation, EuMIC2010 : European Microwave Week (2010)
    Article publié
  • F. Lecourt, D. Yannick, N. Defrance, V. Hoel, JC. De Jaeger, S. Bouzid, M. Renvoise, D. Smith and H. Maher.. High Transconductance A1GaN/GaN HEMT with Thin Barrier on Si(111)Substrate, ESSDERC 2010 : 40th European Solid-State Device Research Conference (2010)
    Article publié
  • A. Olivier, & all. Fabrication and characterization of 200-nm self-aligned In0.53Ga0.47As MOSFET, IPRM2010 : 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (2010)
    Article publié
  • Shi M., Saint-Martin J., Bournel A., Maher H., Renvoise M., Dollfus P.. Monte Carlo simulation of MOSFET based on III-V materials with low bandgap for high frequency and ultra low consumption applications, International Conference on Nanoscience& Technology (ChinaNANO 2009) (2009)
    Article publié

Propriétés intellectuelles

Brevets

  • Procédé d’intégration monolithique de RITD pseudomorphique et de transistor à base de matériaux III-V, EP 2 157 613 A1, France, Dépôt : 2008-08-20, Délivrance : 2010-02-24
    Terminé

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