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Harvey-Collard, P., Drouin, D., & Pioro-Ladrière, M. (2014). A silicon nanocrystal tunnel field effect transistor.
Applied Physics Letters
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104
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Guilmain, M., Labbaye, T., Dellenbach, F., Nauenheim, C., Drouin, D., & Ecoffey, S. (2013). A damascene platform for controlled ultra-thin nanowire fabrication.
Nanotechnology
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24
(24), 245305.
Demers, H., Poirier-Demers, N., Phillips, M. R., de Jonge, N., & Drouin, D. (2012). Three-dimensional electron energy deposition modeling of cathodoluminescence emission near threading dislocations in GaN and electron-beam lithography exposure parameters for a PMMA resist.
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Jouvet, N., Bounouar, M. A., Ecoffey, S., Nauenheim, C., Beaumont, A., Monfray, S., ... & Drouin, D. (2012). Recent developments on 3D integration of metallic set onto CMOS process for memory application.
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(04), 1240024.
Cutivet, A., Altuntas, P., Defrance, N., Okada, E., Avramovic, V., Lesecq, M., ... & Maher, H. (2015, September). Large-signal modeling up to W-band of AlGaN/GaN based high-electron-mobility transistors. In
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Dequivre, T., Al Alam, E., Maurais, J., Brisard, G. M., Pratte, J. F., & Charlebois, S. A. (2016). Electrografted P4VP for High Aspect Ratio Copper TSV Insulation in Via-Last Process Flow.
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Lee Sang, B., Gour, M. J., Darnon, M., Ecoffey, S., Jaouad, A., Sadani, B., ... & Souifi, A. (2016). Selective dry etching of TiN nanostructures over SiO2 nanotrenches using a Cl2/Ar/N2 inductively coupled plasma.
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