Contrôle du détachement des membranes semi-conductrices (Ge, InP et GaAs) via une couche mésoporeuse
- Date :
- Cet événement est passé.
- Type :
- Soutenance de thèse
- Lieu :
- Local P2-1002 de l’Institut interdisciplinaire d’innovation technologique (3IT)
Description :
Doctorant: Ahmed Ayari
Directeur de recherche: Abderraouf Boucherif
Codirecteur de recherche: Denis Machon
Président du jury: À être confirmé
Résumé: Les semi-conducteurs III-V (tels que le GaAs et l’InP) ainsi que le germanium (Ge) jouent un rôle de plus en plus important dans divers domaines des technologies modernes. Considérés aujourd’hui comme des matériaux stratégiques au coût élevé et soumis à des restrictions commerciales, il devient nécessaire d’optimiser leur utilisation. Les nanomembranes (NM) suscitent un intérêt grandissant grâce à leur potentiel dans la réduction des coûts de fabrication, l'électronique flexible et l'allègement des dispositifs. Parmi les méthodes de fabrication des NM, le détachement via une couche poreuse s'est imposé comme une technique efficace. Toutefois, le contrôle du processus de détachement demeure insuffisamment exploré. En particulier, les mécanismes régissant l'évolution de la couche poreuse au cours de la séparation, ainsi que les paramètres influençant sa transformation morphologique, nécessitent une étude approfondie. Dans cette thèse, nous étudions la détachabilité des NM de Ge, InP et GaAs, en contrôlant la nanostructuration des piliers par le biais de traitements thermiques. Nous mettons en évidence l’effet du recuit sur la réorganisation des structures poreuses. Nous démontrons également la possibilité de contrôler la force d’adhésion de ces NM en fonction de la température de recuit.
La soutenance est confidentielle. Les participants devront signer une entente de confidentialité à l'entrée de la salle de soutenance.
Doctorant: Ahmed Ayari
Directeur de recherche: Abderraouf Boucherif
Codirecteur de recherche: Denis Machon
Président du jury: À être confirmé
Résumé: Les semi-conducteurs III-V (tels que le GaAs et l’InP) ainsi que le germanium (Ge) jouent un rôle de plus en plus important dans divers domaines des technologies modernes. Considérés aujourd’hui comme des matériaux stratégiques au coût élevé et soumis à des restrictions commerciales, il devient nécessaire d’optimiser leur utilisation. Les nanomembranes (NM) suscitent un intérêt grandissant grâce à leur potentiel dans la réduction des coûts de fabrication, l'électronique flexible et l'allègement des dispositifs. Parmi les méthodes de fabrication des NM, le détachement via une couche poreuse s'est imposé comme une technique efficace. Toutefois, le contrôle du processus de détachement demeure insuffisamment exploré. En particulier, les mécanismes régissant l'évolution de la couche poreuse au cours de la séparation, ainsi que les paramètres influençant sa transformation morphologique, nécessitent une étude approfondie. Dans cette thèse, nous étudions la détachabilité des NM de Ge, InP et GaAs, en contrôlant la nanostructuration des piliers par le biais de traitements thermiques. Nous mettons en évidence l’effet du recuit sur la réorganisation des structures poreuses. Nous démontrons également la possibilité de contrôler la force d’adhésion de ces NM en fonction de la température de recuit.
La soutenance est confidentielle. Les participants devront signer une entente de confidentialité à l'entrée de la salle de soutenance.