MAHER Hassan

Professeur

Coordonnées

Diplômes

  • Doctorat, université Paris XI, micro- et opto-électronique intégrées, 1999 
  • Habilitation à diriger les recherches (HDR), Université de Lille1, Sciences physiques, 2010

Domaine d'expertise et de recherche

  • Physique des composants semi-conducteurs
  • Semi-conducteur III-V (GaAs, InP, GaN)
  • Transistor HEMT (High Electron Mobility Transistor)
  • Transistor HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) 
  • Diode (Schottky, Tunnel, PIN...)
  • Circuits MMIC à ultra haute performance.

Activités de recherche

  • Technologie de fabrication de circuits millimétriques fonctionnant dans les bandes U et W.
  • Technologie de fabrication de circuit de puissance à base du GaN.
  • Technologie de fabrication de circuits à ultra faible consommation destinés aux systèmes autonomes.
  • Technologie de fabrication de cellule photovoltaïque à base de GaN

Activités d'enseignement

  • GEI 719 : Micro-fabrication de biocapteurs
  • GEI 718 : Techniques de micro-fabrication en salles blanches
  • Session S3, génie électrique : APP1, Les amplificateurs discrets faibles signaux et basses fréquences
  • Session S3, génie électrique : APP3, Échange de chaleur

Communications scientifiques

Autres informations

Collaborations / Partenaires industriels :

  • National : Osemi Canada (projets de partenariat CRSNG)
  • International : OMMIC, Eolane, III-Vlab, Heliotrop