Agente ou agent à la recherche : Développement de procédé de fabrication de Qubit de spin à base de SiGe

Dans le cadre du projet : Consortium on Quantum Simulation with Spin Qubits (CQS2Q)

L'objectif de réaliser une machine basée sur des particules microscopiques offrant des capacités pour la simulation quantique.

L'équipe s'associe à des entités expertes de la microélectronique et des ordinateurs quantiques afin de modéliser, fabriquer et contrôler la machine. Les partenaires sont l'University of British Columbia (UBC), le Conseil National de Recherche du Canada (CNRC) ainsi que CMC Microsystèmes. S'ajoutent des partenaires stratégiques comme le BC Quantum Algorithms Institute et la Zone d'Innovation de Sherbrooke.

Sous la direction du professeur Dominique Drouin, vous participez à de nombreux projets collaboratifs avec les partenaires industriels et institutionnels.

• Mise à l'échelle d'un procédé de fabrication de qubit sur Ge semi-industriels.

• Conception/fabrication de tranches (wafer) incluant plusieurs projets (MPW).

• Normalisation : Métrologie classique et quantique, contrôle et surveillance des processus.

1. Développer les activités de fabrication du projet dans les environnements de traitement semi-industriels du 3IT.nano et du CNRC.

2. Conception/fabrication à l'échelle de la tranche(wafer) multi-projets (MPW) de circuits quantiques basée sur une hétérostructure Ge/GeSi intégrée au Si.

3. Adaptation du processus de UBC pour améliorer le rendement et l'uniformité.

4. Développer des règles de conception du procédé (PDK) et un service de fabrication de MPW pour une production rapide et à haut rendement.

5. Développer des méthodes et procédés pour limiter d'éventuels problèmes de fiabilité/variabilité.6

6. Définir une approche fiable pour la définition des grilles de TiN à accumulation en utilisant un procédé auto-alignés et gravure au plasma.

7. Rédiger des rapports, documenter la fabrication et la caractérisation du procédé.

8. Utiliser des outils classiques de métrologie des semi-conducteurs à la pointe de la technologie pour garantir une production stable et fiable.

9. Effectuer toute autre tâche connexe.

• Détenir un baccalauréat en génie électrique, physique dans un autre domaine pertinent.

• Posséder au moins 2 années d'expérience pertinente.

• Posséder de l'expérience et des compétences en nanofabrication (lithographie par faisceau d'électrons, gravure plasma, dépôt de métal par PVD, dépôt de diélectrique par ALD/LPCVD) et en caractérisation cryogénique de base.

• Posséder de l'expérience dans l'organisation des tâches, de travail en équipe et de communication.

• Avoir des aptitudes pour la résolution de problèmes.

• Démontrer un leadership en gestion de projet, supervision d'étudiantes et d'étudiants et de stagiaires.

• Avoir la capacité à travailler dans un environnement interdisciplinaire regroupant plusieurs équipes, et selon un horaire flexible pendant les périodes de pointe.

• Posséder une très bonne connaissance des langues française et anglaise parlées et écrites. La connaissance ou la maîtrise de l'anglais est requise, car la personne aura à échanger avec divers organismes ou partenaires.

• Toute expérience en recherche et développement industriel sera considérée comme un atout.

Corps d'emploi : Agente, agent à la recherche

Échelle de traitement : No 2 (14 échelons répartis entre 56 747 $ et 91 819 $ approximativement). Personne professionnelle rémunérée à même des fonds de recherche.

Emploi à temps complet, 35 heures par semaine.

Durée de l'emploi : 5 ans, renouvelable annuellement.