Transistors GaN

Titre du projet :

Traitement face arrière avancé pour des transistors GaN à tension de claquage élevée et faible résistance thermique

Description du projet et contexte :

Les transistors à base de nitrure de gallium (GaN) sont une technologie émergente qui répond au besoin des dispositifs pour la commutation haute puissance de demain. Cette nouvelle génération de transistors a été développée en utilisant les savoir-faire acquis dans les semi-conducteurs III-V et ils offrent des avantages comparés aux solutions conventionnelles basées sur le silicium (Si). Néanmoins, ces nouvelles technologies pâtissent de limitations tant électriques (tension de claquage notamment) que thermiques; il est nécessaire d’améliorer la conception et le packaging des nouveaux dispositifs pour réduire l’écart entre les performances théoriques et expérimentales ainsi que la fiabilité des composants pour des applications critiques. Pour atteindre ces objectifs, il est fondamental d’effectuer la comparaison de différentes approches technologiques et ainsi atteindre le plein potentiel des composants GaN.

La collaboration entre GaN Systems, chef de file mondial dans la commercialisation de transistors à base de GaN, et l’Université de Sherbrooke a pour but d’améliorer les performances des composants et leurs fiabilités. L’amélioration des performances des composants passe par une meilleure prise en charge du budget thermique via une diminution de la résistance thermique mais aussi par l’optimisation des paramètres intrinsèques des transistors afin d’améliorer les caractéristiques électriques et notamment leurs tensions de claquage.

Date :

Du 1er avril 2017 au 31 mars 2020

Mots clés : 

GaN HEMTs, e-mode transistors, composant de puissance, efficacité énergétique

Porteurs du projet  :

Hassan Maher, LN2 UdeS

Étudiants impliqués :

  • Bouzazi Boussairi
  • Guillaume Gommé
  • Adrien Cutivet
  • Ahmed Chakroun
  • Christophe Rodriguez

Autres partenaires :

  • GaN Systems
  • Vincent Aimez, LN2 UdeS
  • Richard Arès, LN2 UdeS
  • François Boone, LN2 UdeS
  • David Danovitch, LN2 UdeS
  • Abdelatif Jaouad, LN2 UdeS
  • Julien Sylvestre, LN2 UdeS