Étude du contact électromécanique Au-Ru/AlCu pour les MEMS RF ohmiques: Modélisation, Intégration et Caractérisation
- Date :
- Cet événement est passé.
- Type :
- Soutenance de thèse
- Lieu :
- P2-1002 de l'Institut interdisciplinaire d'innovation technologique (3IT)
Description :
Doctorant: Mohamed Najah
Directeur de recherche: François Boone
Codirecteur de recherche: Serge Ecoffey
Président de jury: Serge Charlebois
Résumé: Aujourd'hui les systèmes de télécommunication sont le plus souvent construits à partir (i) d'électronique à l'état solide utilisant la technologie des semi-conducteurs telles les diodes PIN et les transistors FET ou (ii) de relais électromagnétiques. Chacune de ces technologies offre un compromis entre la fréquence d'opération, la linéarité, la capacité à transporter la puissance RF, les pertes d'insertion, l'isolation, la consommation électrique, la fiabilité... Les MEMS RF sont à priori adaptés pour répondre aux nombreux défis des nouvelles générations de systèmes de télécommunication, cependant le principal obstacle reste leur fiabilité. D’une part l'encapsulation des MEMS RF aux niveau du wafer est nécessaire pour leur intégration dans des systèmes plus complets telles les matrices de commutations, d’autre part la fiabilité du contact électromécanique est l'une des limitations majeures intrinsèques des MEMS RF ohmiques. Cette thèse s'inscrit dans un contexte d'amélioration de la fiabilité des micro-commutateurs MEMS RF à contact ohmique, et dont l’objectif principal est l’étude de l’intégration du contact Au-Ru/AlCu dans un procédé de fabrication industriel incluant une étape d’encapsulation via un collage eutectique Al-Ge.
Doctorant: Mohamed Najah
Directeur de recherche: François Boone
Codirecteur de recherche: Serge Ecoffey
Président de jury: Serge Charlebois
Résumé: Aujourd'hui les systèmes de télécommunication sont le plus souvent construits à partir (i) d'électronique à l'état solide utilisant la technologie des semi-conducteurs telles les diodes PIN et les transistors FET ou (ii) de relais électromagnétiques. Chacune de ces technologies offre un compromis entre la fréquence d'opération, la linéarité, la capacité à transporter la puissance RF, les pertes d'insertion, l'isolation, la consommation électrique, la fiabilité... Les MEMS RF sont à priori adaptés pour répondre aux nombreux défis des nouvelles générations de systèmes de télécommunication, cependant le principal obstacle reste leur fiabilité. D’une part l'encapsulation des MEMS RF aux niveau du wafer est nécessaire pour leur intégration dans des systèmes plus complets telles les matrices de commutations, d’autre part la fiabilité du contact électromécanique est l'une des limitations majeures intrinsèques des MEMS RF ohmiques. Cette thèse s'inscrit dans un contexte d'amélioration de la fiabilité des micro-commutateurs MEMS RF à contact ohmique, et dont l’objectif principal est l’étude de l’intégration du contact Au-Ru/AlCu dans un procédé de fabrication industriel incluant une étape d’encapsulation via un collage eutectique Al-Ge.