Implanteur ionique Varian

Description

Implantation d'ions d'énergie située entre 18 keV et 200 keV (atomes simplement ionisés) ou 400 keV (atomes doublement ionisés)

Marque et modèle

Varian - CF3000

Spécifications techniques
  • Tension maximale d'accélération : 200 kV
  • Implanteur à courant moyen (courant de faisceau de quelques centaines de µA dans le meilleur des cas)
  • Sources gazeuses ou solides pour les espèces à implanter
  • Pompage cryogénique, turbomoléculaire et diffusion
  • Diamètre maximum des échantillons : 4 po
Exemples de procédés disponibles
  • Implantation d'espèces telles que As,P,H,N,Si,B,Xe,Ag,F
  • Dopage de semi-conducteurs
  • Génération de défauts ponctuels pour procédés d'interdiffusion de puits quantiques

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