Graveur plasma STS pour oxyde de silicium AOE

Description

Gravure de matériaux diélectriques par plasma à haute densité

Marque et modèle

STS - AOE

Spécifications techniques
  • Température de l'électrode (plateau) : -20°C à 70°C
  • Source ICP : jusqu'à 3 kW à 13.56 MHz
  • Source du plateau : jusqu'à 1 kW à 13.56 MHz
  • Gaz installés sur le système : Ar, He, H₂, C₄F₈, O₂, CF₄
  • Taille d'échantillons : substrats jusqu'à 100 mm de diamètre; compatible avec petits échantillons
Exemples de procédés disponibles
  • Gravure d'oxyde de silicium
  • Gravure de nitrure de silicium

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