La plateforme 3IT.Nano dispose de deux réacteurs PECVD

PECVD #1

Description

Dépôts d'oxyde de silicium, de nitrure de silicium, d’oxynitrure de silicium, de carbure de silicium, d’oxycarbure de silicium et de silicium amorphe. Possibilité de dopage au phosphore, au bore ou au germane.

Marque et modèle

STS MESC Multiplex

Spécifications techniques

• Température de dépôt : de 20°C à 380°C
• Fréquences : 13.56 MHz ou 380 kHz; possibilité d'utiliser un mode fréquence mixte
• Puissance maximale : 1 kW @ 380 kHz, 300 W @ 13.56 MHz
• Gaz installés sur le système : NH₃, Ar, N₂, B₂H₆ (dilué à 10% dans H₂), GeH₄, CH₄, O₂, PH₃ (dilué à 10% dans Ar), N₂O, SiH₄, CF₄, H₂
• Taille d'échantillons : substrats jusqu'à 200 mm de diamètre; compatible avec petits échantillons

Exemples de procédés disponibles

• Dépôts de couches isolantes pour la réalisation de grilles de transistors
• Dépôts en vue de fabrication de masques d'implantation ou de gravure
• Dépôt de SiO₂ dopé en vue de fabrication de guides d'onde

PECVD #2

Description

Le PECVD BenchMark est un système de déposition de couches minces assistée par plasma. Il sert principalement au dépôt de couches minces d’oxyde et de nitrure de silicium de moins d’un micromètre d’épaisseur.

Marque et modèle

BenchMark - 800-II

Spécifications techniques

• Dépôt sur échantillons ou substrat jusqu’à 200mm (8po) de diamètre
• Interface logicielle pour l’édition de recette et le contrôle du procédé

Exemples de procédés disponibles

• Nitrure de silicium (SiNxHz)
• Oxyde de silicisum (SiOx)

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