ALD - Atomic Layer Deposition

Description

Dépôt de couches diélectriques très minces, passivation

Marque et modèle

Picosun - R-200 Advanced

Spécifications techniques
  • Petits échantillons à substrats de 200mm
  • Température de dépôt de 21°C à 500°C
  • 3 sources liquides à température ambiante, 2 sources liquides chauffées (max 250°C), 1 gaz réactif (NH₃), source O+ par plasma O₂ indirect, source H+ par plasma N₂:H₂ indirect
Exemples de procédés disponibles
  • Dépôt de 5nm de SiO₂ à 300°C à partir de SAM.24 et O₂
  • Dépôt de 5nm de Al₂O₃ à 250°C à partir de TMAl et H₂O

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