Description

Implantation d'ions d'énergie située entre 18 keV et 200 keV (atomes simplement ionisés) ou 400 keV (atomes doublement ionisés)

Marque et modèle

Varian - CF3000

Spécifications techniques

• Tension maximale d'accélération : 200 kV
• Implanteur à courant moyen (courant de faisceau de quelques centaines de µA dans le meilleur des cas)
• Sources gazeuses ou solides pour les espèces à implanter
• Pompage cryogénique, turbomoléculaire et diffusion
• Diamètre maximum des échantillons : 4 po

Exemples de procédés disponibles

• Implantation d'espèces telles que As,P,H,N,Si,B,Xe,Ag,F
• Dopage de semi-conducteurs
• Génération de défauts ponctuels pour procédés d'interdiffusion de puits quantiques

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