Réacteur CBE pour matériaux III-V

Description

Dédié à la croissance des matériaux III-V (Arseniures et Phosphures)     

Marque et modèle

VG semicon - V90       

Spécifications techniques
  • Taille de wafer jusqu’à 4 po
  • Equipé de ABES, RHEED, Pyromètrie et RGA   
Exemples de procédés disponibles

Matériaux III-V (Arseniures et Phosphures) pour l'optoeléctronique

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