Graveur plasma STS pour III-V

Description

Gravure de composés et hétérostructures III-V et de métaux par plasma à haute densité

Marque et modèle

STS - Multiplex Inductively Coupled Plasma (ICP) SR III-V system

Spécifications techniques
  • Température de l'électrode (plateau) : -20 à 70°C
  • Source ICP : jusqu'à 1 kW à 13.56 MHz
  • Source du plateau : 0-300 W à 13.56 MHz
  • Gaz installés sur le système : Ar, N₂, Cl₂, He, H₂, CH₄, O₂, SiCl₄, BCl₃, SF₆
  • Taille d'échantillons : substrats jusqu'à 200 mm de diamètre; possibilité de travailler avec de petits échantillons
  • Système optique de suivi de la gravure en temps réel (end point detection).
  • Spectromètre optique (détection des espèces présentes)
Exemples de procédés disponibles
  • Gravure de structure "ridge" pour lasers à hétérostructure.
  • Gravure de chrome pour fabrication de photomasques.
  • Gravure de matériaux III-V, Ge, Si, GaN, diamant, métaux

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