Graveur plasma STS pour silicium ASE

Description

Gravure de silicium par plasma à haute densité ou gravure au XeF₂

Marque et modèle

STS (Surface Technology Systems) - Multiplex Advanced Silicon Etch (ASE-SR) ICP system

Spécifications techniques
  • Température de l'électrode (plateau) : 5 à 40°C
  • Source ICP : jusqu'à 1 kW à 13.56 MHz
  • Source du plateau : 0-300 W à 13.56 MHz, ou 0-300 W @ 380 kHz
  • Gaz de procédés installés sur le système : Ar, SF₆, C₄F₈, O₂
  • Taille d'échantillons : substrats jusqu'à 100 mm de diamètre; possibilité de travailler avec de petits échantillons
Exemples de procédés disponibles
  • Gravure de Si et de Ge.
  • Gravures profondes pour MEMS
  • Gravures par procédé Bosch (alternance d'étapes de gravure et passivation)
  • Gravure par proceed semi-Bosch
  • Gravures de SOI
  • Gravure isotropique de Si

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