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Graveur plasma STS pour silicium ASE

Description

Gravure de silicium par plasma à haute densité 

Marque et modèle

STS - Multiplex Advanced Silicon Etch (ASE-SR) ICP system 

Spécifications techniques

  • Température du substrat : 5 à 40°C
  • Source ICP : jusqu'à 1 kW à 13.56 MHz
  • Source du plateau : 0-300 W à 13.56 MHz, ou 0-300 W @ 380 kHz
  • Gaz de procédés installés sur le système : Ar, SF₆, C₄F₈, O₂
  • Taille d'échantillons : substrats jusqu'à 100 mm de diamètre; possibilité de travailler avec de petits échantillons

Exemples de procédés disponibles

  • Gravure de Si et de Ge.
  • Gravure profonde pour MEMS
  • Gravure par procédé Bosch (alternance d'étapes de gravure et passivation)
  • Gravure par procédé semi-Bosch
  • Gravure de SOI
  • Gravure isotropique de Si