Réacteurs PECVD
La plateforme 3IT.Nano dispose de deux réacteurs PECVD
PECVD #1
Description
Dépôts SiO2, Si3N4, alliages SiOxNy, SiC, α-SiCO, α-SiC. Possibilité de dopage au phosphore, au bore ou au germanium.
Marque et modèle
STS MESC Multiplex
Spécifications techniques
- Température de dépôt : de 20°C à 380°C
- Fréquences : 13.56 MHz ou 380 kHz; possibilité d'utiliser un mode fréquence mixte
- Puissance maximale : 1 kW @ 380 kHz, 300 W @ 13.56 MHz
- Gaz installés sur le système : NH₃, Ar, N₂, B₂H₆ (dilué à 10% dans H₂), GeH₄, CH₄, O₂, PH₃ (dilué à 10% dans Ar), N₂O, SiH₄, CF₄, H₂
- Taille d'échantillons : substrats jusqu'à 200 mm de diamètre; compatible avec petits échantillons
Exemples de procédés disponibles
- Dépôts de couches isolantes pour la réalisation de grilles de transistors
- Dépôts en vue de fabrication de masques d'implantation ou de gravure
- Dépôt de SiO₂ dopé en vue de fabrication de guides d'onde
PECVD #2
Description
Le PECVD BenchMark est un système de déposition de SiO2 et Si3N4
Marque et modèle
BenchMark - 800-II
Spécifications techniques
- Dépôt sur échantillons ou substrat jusqu’à 200mm (8po) de diamètre
Exemples de procédés disponibles
- Nitrure de silicium (SiNxHz)
- Oxyde de silicium (SiOx)