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Réacteurs PECVD

La plateforme 3IT.Nano dispose de deux réacteurs PECVD

PECVD #1

Description

Dépôts SiO2, Si3N4, alliages SiOxNy, SiC, α-SiCO, α-SiC. Possibilité de dopage au phosphore, au bore ou au germanium.

Marque et modèle

STS MESC Multiplex

Spécifications techniques

  • Température de dépôt : de 20°C à 380°C
  • Fréquences : 13.56 MHz ou 380 kHz; possibilité d'utiliser un mode fréquence mixte
  • Puissance maximale : 1 kW @ 380 kHz, 300 W @ 13.56 MHz
  • Gaz installés sur le système : NH₃, Ar, N₂, B₂H₆ (dilué à 10% dans H₂), GeH₄, CH₄, O₂, PH₃ (dilué à 10% dans Ar), N₂O, SiH₄, CF₄, H₂
  • Taille d'échantillons : substrats jusqu'à 200 mm de diamètre; compatible avec petits échantillons

Exemples de procédés disponibles

  • Dépôts de couches isolantes pour la réalisation de grilles de transistors
  • Dépôts en vue de fabrication de masques d'implantation ou de gravure
  • Dépôt de SiO₂ dopé en vue de fabrication de guides d'onde

PECVD #2

Description

Le PECVD BenchMark est un système de déposition de SiO2 et Si3N4

Marque et modèle

BenchMark - 800-II

Spécifications techniques

  • Dépôt sur échantillons ou substrat jusqu’à 200mm (8po) de diamètre

Exemples de procédés disponibles

  • Nitrure de silicium (SiNxHz)
  • Oxyde de silicium (SiOx)