Réacteurs PECVD
La plateforme 3IT.Nano dispose de deux réacteurs PECVD
PECVD #1
Description
Dépôts d'oxyde de silicium, de nitrure de silicium, d’oxynitrure de silicium, de carbure de silicium, d’oxycarbure de silicium et de silicium amorphe. Possibilité de dopage au phosphore, au bore ou au germane.
Marque et modèle
STS MESC Multiplex
Spécifications techniques
- Température de dépôt : de 20°C à 380°C
- Fréquences : 13.56 MHz ou 380 kHz; possibilité d'utiliser un mode fréquence mixte
- Puissance maximale : 1 kW @ 380 kHz, 300 W @ 13.56 MHz
- Gaz installés sur le système : NH₃, Ar, N₂, B₂H₆ (dilué à 10% dans H₂), GeH₄, CH₄, O₂, PH₃ (dilué à 10% dans Ar), N₂O, SiH₄, CF₄, H₂
- Taille d'échantillons : substrats jusqu'à 200 mm de diamètre; compatible avec petits échantillons
Exemples de procédés disponibles
- Dépôts de couches isolantes pour la réalisation de grilles de transistors
- Dépôts en vue de fabrication de masques d'implantation ou de gravure
- Dépôt de SiO₂ dopé en vue de fabrication de guides d'onde
PECVD #2
Description
Le PECVD BenchMark est un système de déposition de couches minces assistée par plasma. Il sert principalement au dépôt de couches minces d’oxyde et de nitrure de silicium de moins d’un micromètre d’épaisseur.
Marque et modèle
BenchMark - 800-II
Spécifications techniques
- Dépôt sur échantillons ou substrat jusqu’à 200mm (8po) de diamètre
- Interface logicielle pour l’édition de recette et le contrôle du procédé
Exemples de procédés disponibles
- Nitrure de silicium (SiNxHz)
- Oxyde de silicisum (SiOx)