ALD

Description

Dépôt de couches diélectriques très minces, passivation

Marque et modèle

Picosun - R-200 Advanced

Spécifications techniques

• Petits échantillons avec substrats de 200mm
• Température de dépôt de 21°C à 500°C
• 3 sources liquides à température ambiante, 2 sources liquides chauffées (max 250°C), 1 gaz réactif (NH₃), source O+ par plasma O₂ indirect, source H+ par plasma N₂ : H₂ indirect.

Exemple de procédés disponibles

• Dépôt de 5nm de SiO₂ à 300°C à partir de SAM.24 et O₂
• Deposition of 5nm Al₂O₃ at 250°C à partir de TMA1 et H₂O