Interconnexion BGA hypo-eutectique à basse/ultra-basse température par SLID
- Date :
- Cet événement est passé.
- Type :
- Soutenance de thèse
- Lieu :
- Dans le local P2-1002 de l'Institut interdisciplinaire d'innovation technologique (3IT)
Directeur de recherche : David Danovitch
Codirecteur de recherche : Dominique Drouin
Président de jury : À être confirmé
Résumé : La demande croissante pour des systèmes électroniques miniaturisés et sensibles à la température révèle les limites des brasages sans plomb à haute température, causant dégradation, instabilité interfaciale et gauchissement.
Cette thèse développe des stratégies de liaison par diffusion solide-liquide (SLID) pour des interconnexions fiables à basse et ultra-basse température.
Un procédé SLID combinant SAC305 et pâte Sn-58Bi a été optimisé (~180 °C), aboutissant à des interconnexions homogènes et à la formation d’un alliage inédit Sn-30Bi.
Les essais de fiabilité (HTS, HTSB, ATC) et les tests mécaniques (cisaillement, chocs) ont révélé une supériorité marquée du Sn-30Bi par rapport au Sn-58Bi.
Les analyses MEB/EDX ont confirmé une croissance réduite des IMC, une suppression de la ségrégation de Bi, une formation minimale de vides et une meilleure robustesse mécanique.
L’approche a ensuite été étendue à l’ultra-basse température avec une pâte Sn-In-Bi (Field’s metal) fondant à ~140 °C.
L’optimisation a permis une diffusion complète de l’In et une distribution quasi homogène du Bi.
L’utilisation d’ENIG a efficacement bloqué la dissolution du Cu et maintenu la stabilité interfaciale durant le vieillissement à 85 °C.
Ces résultats valident la faisabilité et la transférabilité de l’approche SLID pour les interconnexions basse et ultra-basse température.
Les procédés proposés réduisent le budget thermique sans compromettre fiabilité ni intégrité, offrant une solution de rupture pour l’encapsulation microélectronique avancée.